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"내년 D램 생산에 EUV 공정 도입…낸드플래시 성능 향상"
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기사입력 2020-10-07 11:17:22   폰트크기 변경      

[건설경제=김민주 기자] 내년 반도체 업계에서는 극자외선(EUV) 공정 등 기술 발전에 힘입어 반도체 성능이 향상될 것이라는 전망이 제기됐다. 

 

7일 업계에 따르면 대만 시장정보업체 트렌드포스는 2021년 기술·산업 트렌드 10대 전망 중 하나로 반도체 D램 EUV 공정 도입과 낸드플래시 적층(積層) 기술 발전을 꼽았다.

 

트렌드포스는 "3대 D램 제조사인 삼성전자·SK하이닉스·마이크론은 3세대 10나노급(1z), 4세대 10나노급(1a) 미세공정 기술뿐 아니라 2021년부터는 삼성을 필두로 EUV 시대에 공식 진입할 것"이라고 예상했다.



EUV 노광 기술은 파장이 짧은 극자외선 광원으로 웨이퍼에 반도체 회로를 새기는 기술로, 기존 공정으로는 할 수 없는 초미세 회로 구현이 가능하다. 고성능·저전력 반도체를 만드는 데 필수적인 기술로 평가된다.



앞서 삼성전자는 올해 초 업계에선 처음으로 D램 생산에 EUV 공정을 적용해 1세대 10나노급(1x) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈을 생산하기도 했다.

 

적층 단수가 많을수록 성능이 좋아지는 낸드플래시는 올해 100단에 이어 내년에는 150단 이상까지 쌓는 것을 반도체 업계가 목표로 할 것이라고 예측했다.

 

전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체 낸드플래시는 격자 모양의 메모리 셀을 위로 높이 쌓는 적층 공정을 거치는데, 단 수를 늘릴수록 저장할 수 있는 데이터양이 많아진다.

 

낸드플래시 제조사들은 한 다이(die) 용량을 기존 256∼512GB(기가바이트)에서 512GB∼1TB(테라바이트)까지 향상하는 것을 목표할 것이라고 트렌드포스는 전망했다.

 

한편 내년도 고급 TV 시장의 경쟁은 차세대 디스플레이 개발로 더욱 치열해질 것이라는 분석도 나왔다.

 

트렌드포스는 삼성디스플레이가 추진하는 QD(퀀텀닷)-OLED(유기발광다이오드)나 미니 발광다이오드(LED) 등 차세대 디스플레이가 OLED의 강력한 경쟁자가 될 수 있다고 지적했다.

 

   
2021년 예상 10대 기술 트렌드. [트렌드포스 제공]

 

김민주기자 stella2515@

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